- 上海菱端電子有限公司
- 上海菱端電子科技有限公司專(zhuān)業(yè)代理德國(guó)英飛凌、Vincotech、賽米控、日本富士、三菱等公司的IGBT、IPM等功率模塊及Concept IGBT驅(qū)動(dòng)器。
- 上海菱端電子有限公司
- 英飛凌IGBT單管
- 英飛凌IGBT應(yīng)用選型
- Concept IGBT驅(qū)動(dòng)選型
- 英飛凌IGBT模塊
- 英飛凌600V IGBT模塊
- 英飛凌1200V IGBT模塊
- 英飛凌1700V IGBT模塊
- IXYS power MOSFET
- IXYS 快恢二極管
- Concept IGBT驅(qū)動(dòng)核
- Concept專(zhuān)用IGBT驅(qū)動(dòng)
- CREE Sic MOSFET
- Cree科銳碳化硅二極管
- 富士IGBT模塊
- 賽米控IGBT模塊
- 三菱A系列IGBT模塊
- AVAGO安華高光耦
- EACO薄膜電容器
- EPCOS愛(ài)普科斯電容
- 網(wǎng)站公告
- IGBT應(yīng)用技術(shù)網(wǎng)www.igbt8_com.caiabi.cn是上海菱端電子科技有限公司旗下網(wǎng)站，是以IGBT、IGBT模塊、IGBT驅(qū)動(dòng)等技術(shù)學(xué)習(xí)、探討為主的專(zhuān)業(yè)電力電子技術(shù)網(wǎng)站在此您可以輕松掌握IGBT等功率器件的相關(guān)知識(shí)并提高您的IGBT變流器開(kāi)發(fā)技術(shù)，致力于打造成為電力電子工程師的搖籃。
本站資源來(lái)自網(wǎng)友提供及原創(chuàng)，版權(quán)歸原權(quán)利人所有，為了保護(hù)原創(chuàng)及知識(shí)產(chǎn)權(quán)，本站文章未經(jīng)許可，禁止轉(zhuǎn)載，否則必將追究。
本站所有資料僅供學(xué)習(xí)、研究之用，如若用于商業(yè)等其他用途，將負(fù)法律責(zé)任！
產(chǎn)品中心
moreIGBT 基礎(chǔ)
本欄針對(duì)IGBT的構(gòu)造與特征、術(shù)語(yǔ)與特性進(jìn)行說(shuō)明，并對(duì)IGBT相關(guān)技術(shù)理論進(jìn)行詳細(xì)解說(shuō)、分析，使您能夠借此了解并掌握IGBT的基礎(chǔ)理論以及相關(guān)的知識(shí)。- IGBT的構(gòu)造與工作原理詳解
- IGBT是由MOSFET和PNP晶體管復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的特性，又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特性。
- 整流二極管
- 反向截止電壓
- 晶閘管和整流二極管的設(shè)計(jì)選擇
- MiniSKiiP IPM 的驅(qū)動(dòng)器的額定值
- MiniSKiiP 的IPM（智能集成）
moreIGBT DC-Link
逆變器的直流側(cè)電源，需要通過(guò)直流母線(xiàn)與逆變單元連接，這種供電方式稱(chēng)為DC-Link。本欄主要介紹DC-Link電容器的設(shè)計(jì)選型，低雜散電感直流母線(xiàn)設(shè)計(jì)，浪涌吸收設(shè)計(jì)。- 雜散電感對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程的影響
- 1 簡(jiǎn)介 IGBT的開(kāi)關(guān)損耗特性研究對(duì)IGBT變流器設(shè)計(jì)具有重要的意義，在有結(jié)構(gòu)緊湊性要求或可靠性要求較高或散熱條件特殊的場(chǎng)合，都需要嚴(yán)格按器件損耗特性進(jìn)行大余量熱設(shè)計(jì)以
- IGBT模塊尖峰電壓吸收電路
- IGBT模塊尖峰電壓測(cè)量及吸收電容
- IGBT模塊吸收電容參數(shù)設(shè)計(jì)
- IGBT模塊吸收回路分析模型
- IGBT無(wú)損緩沖吸收電路設(shè)計(jì)
moreIGBT 驅(qū)動(dòng)
IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用是將控制器輸出的脈沖進(jìn)行功率放大,以驅(qū)動(dòng)IGBT，保證IGBT的可靠工作。本欄重點(diǎn)介紹IGBT的驅(qū)動(dòng)原理，驅(qū)動(dòng)電路及專(zhuān)用集成驅(qū)動(dòng)器。- IGBT雙脈沖測(cè)試方法詳解
- 對(duì)比不同的IGBT的參數(shù)；評(píng)估驅(qū)動(dòng)板的功能和性能；獲取IGBT在開(kāi)通、關(guān)斷過(guò)程的主要參數(shù)，以評(píng)估Rgon及Rgoff的數(shù)值是否合適。
- IGBT驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電壓及功率考慮
- Concept SCALE-2 IGBT模塊驅(qū)動(dòng)芯
- 二極管的正向恢復(fù)效應(yīng)對(duì)驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)
- IGBT元件的短路和過(guò)電壓保護(hù)
- IGBT元件的并聯(lián)注意事項(xiàng)
moreIGBT 散熱
隨著電力電子裝置向小型化和輕量化發(fā)展，更有效的散熱熱技術(shù)成了研究的重點(diǎn)。本欄重點(diǎn)討論IGBT的功耗特性，熱設(shè)計(jì)的基本理論及熱設(shè)計(jì)的方法和要求。- IGBT模塊損耗、溫度與安全工作區(qū)
- IGBT模塊由IGBT部分和FWD部分構(gòu)成，IGBT模塊的損耗源于內(nèi)部IGBT和反并聯(lián)二極管（續(xù)流FWD、整流）芯片的損耗，它們各自發(fā)生的損耗的合計(jì)即為IGBT模塊整體發(fā)生的損耗。另外發(fā)
- 3相變頻器的損耗和溫度上升
- 斬波電路IGBT模塊損耗計(jì)算
- IGBT模塊的損耗特性
- IGBT模塊的等效熱路模型
- IGBT模塊的散熱設(shè)計(jì)
moreIGBT 變流器
本欄針對(duì)IGBT應(yīng)用的各種電力電子裝置進(jìn)行討論，重點(diǎn)深入介紹伺服驅(qū)動(dòng)、變頻器、電力系統(tǒng)、電能質(zhì)量、新能源等變流器的拓?fù)浼瓣P(guān)鍵技術(shù)。- 500KW光伏逆變器IGBT模塊方案對(duì)
- 500KW逆變器，就IGBT模塊而言，根據(jù)逆變器的拓?fù)溆卸喾N選擇，每一種方案都有優(yōu)缺點(diǎn)，總結(jié)起來(lái)分為四種，IGBT單個(gè)模塊，并聯(lián)，逆變橋并聯(lián)，IPM模塊。 單個(gè)模塊方案主要有單
- IGBT正弦波調(diào)光器的工作原理
- IGBT串聯(lián)諧振式電壓型逆變器的工
- 中頻電源中IGBT工作原理和作用
- 移相全橋ZVS PWM直流變換器存在
- 移相全橋ZVS PWM直流變換器負(fù)半
moreIGBT相關(guān)技術(shù)
一個(gè)資深的電力電子工程師絕不是只懂得IGBT的應(yīng)用技術(shù)，而是具備扎實(shí)的理論基礎(chǔ)和豐富的項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)，以及電力電子的相關(guān)知識(shí)，本欄將針對(duì)相關(guān)技術(shù)的技術(shù)進(jìn)行搜集、整理、分享給大家。- 電力電子電路常見(jiàn)波形及分析
- 電力電子電路的功率輸出級(jí)是在大信號(hào)條件下工作的電路，由于工作電壓高、傳輸電流大，在電路的設(shè)計(jì)中經(jīng)常需要對(duì)電路的各部分進(jìn)行電壓、電流和功率等參數(shù)的計(jì)算或估算，這種
- 用于汽車(chē)電子保護(hù)的瞬態(tài)電壓抑制
- 功率 MOSFET 基礎(chǔ)：了解 MOSFET
- Vishay Siliconix MOSFET 的額定
- 損耗分析是為計(jì)算應(yīng)用中的功率因
- Vishay推出了VOR系列混合固態(tài)繼
服務(wù)熱線(xiàn)：021-58979561
業(yè)務(wù)咨詢(xún)qq：447495955
業(yè)務(wù)咨詢(xún)qq：1852433657
業(yè)務(wù)咨詢(xún)qq：513845646
技術(shù)支持qq：313548578
技術(shù)交流群：376450741
業(yè)務(wù)咨詢(xún):
業(yè)務(wù)咨詢(xún):
業(yè)務(wù)咨詢(xún):
技術(shù)支持:
媒體合作:
熱銷(xiāo)型號(hào)
- IRGS14C40LTRLP英飛凌IGBT單管
- IHW30N160R2英飛凌IGBT單管
- IKW25N120T2英飛凌IGBT單管
- IKW40N120H3英飛凌IGBT單管
- FP35R12KT4英飛凌IGBT模塊
- FF450R12IE4英飛凌IGBT模塊
- BSM200GB60DLC英飛凌IGBT模塊
- FF200R12KS4英飛凌IGBT模塊
- PrimePACK結(jié)合最新IGBT5和.XT模
- Vishay威世科技